Infineon IPP80N06S2L-07

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPP80N06S2L-07.

Общее описание

IPP80N06S2L-07 — это N-канальный MOSFET транзитор в популярном корпусе TO-220, разработанный для силовых ключевых приложений. Он принадлежит к семейству OptiMOS 2 от Infineon, которое характеризуется очень низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Ключевые особенности, отраженные в названии:

• IPP: OptiMOS Power Transistor (ранее — International Rectifier, приобретенная Infineon).
• 80: Условный показатель тока (80А).
• N06: N-канал, 60В.
• S2L: Поколение и особенности линейки (S2 — OptiMOS 2, L — логический уровень).
• -07: Суффикс, часто указывающий на версию или упаковку.

Основное назначение: Преобразование энергии в цепях с высокой токовой нагрузкой и частым переключением. Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями (например, в электроприводах, вентиляторах)
• Схемы синхронного выпрямления
• Инверторы и H-мосты

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Корпус | TO-220 | Классический силовой корпус с отверстием для крепления на радиатор. | | Стандарт упаковки | Tube (трубка) | | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 60 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить. | | Ток стока (ID) при 25°C | 80 А | Максимальный постоянный ток. | | Ток стока (ID) импульсный | 320 А | Максимальный импульсный ток (ограничен по времени). | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 7.0 мОм (макс.) | При VGS = 10 В. Ключевой параметр, определяет потери на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2 - 4 В | Минимальное напряжение для открытия транзистора. | | Напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±20 В | Максимальное допустимое напряжение на затворе. | | Общий заряд затвора (Qg) | ~52 нКл (тип.) | При VGS = 10 В. Влияет на скорость переключения и потери на управление. | | Рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт | При температуре корпуса 25°C. Зависит от условий теплоотвода. | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Параллельный диод, характерный для MOSFET. | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Рабочий диапазон. |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки или небольших изменений в маркировке. Основные варианты:

• IPP80N06S2L-07 (базовая модель в TO-220, в трубке)
• IPP80N06S2L-07XKSA1 (полный номер для заказа, включающий код упаковки)
• На самой детали может быть нанесена маркировка: 80N06S2L или подобная сокращенная форма.

Совместимые модели / Прямые аналоги

При поиске замены или аналога следует обращать внимание на ключевые параметры: VDS (60В), ID (80А), RDS(on) (~7 мОм) и корпус (TO-220).

Аналоги от других производителей (очень близкие по параметрам):

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Vishay (Siliconix) | SUD80N06-07L | Один из самых известных прямых аналогов. Очень близкие характеристики. | | STMicroelectronics | STP80N06 | Классическая модель, может иметь чуть выше RDS(on). | | ON Semiconductor | NTD80N06 | Хороший аналог от другого крупного производителя. | | Fairchild (ON Semi) | FDP80N06 | | | IR (Infineon) | IRF3205 | Внимание! Очень популярный транзистор, но с другими параметрами (55В, 110А, 8 мОм). Может использоваться как замена в некоторых схемах, но требует проверки по напряжению и току. Не является полным аналогом. |

Совместимые модели от Infineon (более новые или похожие):

• IPP80N06S2L-03 (более старая ревизия с аналогичными параметрами)
• Модели из семейства OptiMOS 3/5/6 (например, IPP080N06N3) — будут иметь лучшее (ниже) значение RDS(on) при сравнимом токе и напряжении, но могут отличаться динамическими характеристиками.

Важные замечания при замене

1. Всегда проверяйте распиновку (pinout). Хотя для TO-220 она часто стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), у некоторых аналогов возможны исключения.
2. Динамические характеристики (заряды затвора Qg, Qgs, Qgd) могут отличаться даже при схожем RDS(on). Это критично для высокочастотных схем.
3. Параметры встроенного диода (скорость восстановления, прямой ток) также могут различаться.
4. Перед установкой аналога рекомендуется внимательно сравнить даташиты (datasheet) обоих компонентов, особенно разделы Absolute Maximum Ratings и Electrical Characteristics.

Вывод: Infineon IPP80N06S2L-07 — это надежный, проверенный временем силовой MOSFET для средних напряжений и высоких токов. Его главные преимущества — очень низкое сопротивление в открытом состоянии и способность работать от логических уровней напряжения управления (от 5В). При замене наиболее безопасным и прямым аналогом считается SUD80N06-07L от Vishay.