Infineon IPW60R031CFD7

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPW60R031CFD7.

Описание

IPW60R031CFD7 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CFD7 от Infineon. Он предназначен для использования в качестве ключа в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как корректор коэффициента мощности (PFC) и полумостовые/полные мостовые преобразователи в блоках питания для ПК, серверов, телекоммуникационного оборудования и промышленных систем.

Ключевые особенности и преимущества:

• Технология CoolMOS™ CFD7: Обеспечивает исключительно низкое значение сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) при заданной площади кристалла, что приводит к минимизации проводимых потерь.
• Высокая эффективность: Оптимизирован для работы на частотах от 65 кГц до 150 кГц, что позволяет создавать более компактные и энергоэффективные решения.
• Встроенный диод с быстрым восстановлением: Модель CFD7 имеет встроенный body-diode с улучшенными характеристиками обратного восстановления (Qrr) по сравнению с предыдущими поколениями. Это снижает потери при переключении и повышает надежность в мостовых схемах.
• Высокий порог напряжения управления (VGS(th)): Типичное значение 3.5В обеспечивает повышенную устойчивость к помехам и предотвращает ложные срабатывания.
• Планарная технология: Обеспечивает высокую стабильность параметров и надежность.
• Корпус TO-247: Классический и широко распространенный корпус с тремя выводами, удобный для монтажа и теплоотвода.

Основное применение:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC) в блоках питания для ПК и серверов.
• Силовые каскады (первичная сторона) импульсных источников питания (SMPS).
• Инверторы и преобразователи для промышленного оборудования.
• Источники питания для телекоммуникаций (серверные, сетевые устройства).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | — | Технология CoolMOS™ CFD7 | | Корпус | TO-247 | — | 3 вывода | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 | В | Максимальное допустимое | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.031 | Ом | При VGS = 10 В, ID = 30 А (тип.) | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 60 | А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 240 | А | | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.0 | В | Тип. 3.5 В | | Заряд затвора (Qg) | 150 | нКл | Типичное значение при VGS=10В | | Заряд обратного восстановления (Qrr) | 1.45 | мкКл | Типичное значение (ключевая особенность CFD7) | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 333 | Вт | При Tc = 25°C | | Диапазон рабочей температуры p-n перехода (Tj) | от -55 до +150 | °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный и полный парт-номер — IPW60R031CFD7. Он может указываться на корпусе полностью или в сокращенном виде. В спецификациях и программах заказа используйте полный номер.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей:

Прямого 100% аналога с идентичными характеристиками от других брендов может не существовать, но есть очень близкие аналоги по ключевым параметрам (650В, ~0.03 Ом, TO-247). Важно: Перед заменой всегда необходимо сверять datasheet, особенно параметры Qg, Qrr и динамические характеристики.

• ON Semiconductor / Fairchild: FCPF065N65S3 (650В, 0.029 Ом, SuperFET III)
• STMicroelectronics: STW75N65M5 (650В, 0.029 Ом, MDmesh™ M5)
• Power Integrations / Qorvo: не производят прямых аналогов в таком корпусе.
• Vishay Siliconix: SIHO065N65E (650В, 0.029 Ом, E-Series) — очень близкий аналог.
• Toshiba: TK65N65W5 (650В, 0.029 Ом, DT MOS VI) — очень близкий аналог.

Совместимые модели из других линейк Infineon (для замены или выбора альтернативы):

• Более новое/оптимизированное поколение: Модели линейки CoolMOS™ G7 (например, IPA60R040C7) могут рассматриваться как альтернатива с улучшенным балансом потерь, но требуют проверки схемотехники.
• Аналогичное поколение CFD7 с другими параметрами:
  • IPW60R024CFD7 (0.024 Ом)
  • IPW60R040CFD7 (0.040 Ом)
  • IPW60R050CFD7 (0.050 Ом)
• Предыдущее поколение (CFD2): IPW60R041CFD (0.041 Ом) — может подойти, но с чуть более высокими потерями.

Важное замечание по замене

При замене транзистора, особенно на аналог другого производителя, кроме RDS(on) и напряжения, критически важно учитывать:

1. Заряд затвора (Qg) — влияет на работу драйвера и потери на переключение.
2. Параметры внутреннего диода (Qrr, trr) — особенно важно для мостовых и PFC-схем.
3. Входная и проходная емкости (Ciss, Crss) — влияют на скорость переключения и устойчивость.
4. Распиновка корпуса (pinout) — у TO-247 стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но всегда стоит проверить.

Рекомендуется использовать оригинальный компонент IPW60R031CFD7 или близкий аналог от Vishay (SIHO065N65E) или Toshiba (TK65N65W5) после тщательного изучения даташитов и, если возможно, тестирования в конкретной схеме.