Infineon IPW60R190C6FKSA1

Отличный выбор! IPW60R190C6FKSA1 — это высоковольтный мощный MOSFET от Infineon, относящийся к современному семейству CoolMOS™ C6 (C6 Superjunction MOSFET). Он предназначен для высокоэффективных и компактных силовых преобразователей.

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

Infineon IPW60R190C6FKSA1 — это N-канальный MOSFET, ключевыми особенностями которого являются:

• Технология CoolMOS™ C6: Седьмое поколение суперпереходных (Superjunction) MOSFET от Infineon. Обеспечивает лучшее в своем классе соотношение сопротивления открытого канала (RDS(on)) к заряду затвора (Qg), что является мерой эффективности переключения. Это напрямую ведет к снижению коммутационных и проводимых потерь.
• Оптимизация для жесткого переключения (Hard Switching): Конструкция специально разработана для работы в топологиях с жестким переключением (например, LLC-резонансные полумосты, корректоры коэффициента мощности (PFC), прямоходовые преобразователи), где важны как статические, так и динамические потери.
• Высокое напряжение: 600В — делает его идеальным для работы от сетей переменного тока (после выпрямления 400В DC шина).
• Низкое сопротивление открытого канала: 190 мОм при 25°C.
• Корпус TO-247: Классический, надежный корпус для мощных применений с отличными тепловыми характеристиками.
• Основные применения: Источники питания для серверов, телекоммуникаций, промышленного оборудования, игровых ПК, сварочных аппаратов, а также зарядные устройства для электромобилей.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ C6 | | Корпус | TO-247 | Пластиковый, 3 вывода | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | Максимальное напряжение отключения | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 190 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, Tj = 25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | ~ 285 мОм (тип.) | При VGS = 10 В, Tj = 100°C | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 32 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 128 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 75 нКл (тип.) | При VGS = 10 В, ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±20 В | | | Время включения (td(on) + tr) | ~ 20 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~ 35 нс (тип.) | | | Общая рассеиваемая мощность (Ptot) | 300 Вт | При Tc = 25°C | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Встроенный быстрый обратный диод (Body Diode) | | Степень качества (Grade) | Industrial | Промышленный температурный диапазон |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги Infineon (в других корпусах или с незначительными вариациями):

• IPW60R190C6: Базовая часть номера, часто используется для обозначения семейства. Может быть в разных корпусах.
• IPW60R190C6XKSA1: Версия с расширенным промышленным температурным диапазоном.
• IPP60R190C6: Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (менее мощный из-за другого корпуса).
• SPW60R190C6: Аналог в корпусе TO-247-3 Plus (может иметь немного улучшенные тепловые параметры).

2. Совместимые / Конкурирующие модели от других производителей (ВАЖНО: Проверять распиновку и параметры в даташите перед заменой!):

• STMicroelectronics:
  • STW60N190K5 (или STP60N190K5 в TO-220) — из серии MDmesh™ K5, очень близкие параметры.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP60N190 — из серии SuperFET® II.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N19-18 — из серии E系列.
• Toshiba:
  • TK60N19W — из серии DT MOS VI.
• Wolfspeed / Cree:
  • Для достижения максимальной эффективности в новых разработках часто рассматривают SiC MOSFET (например, C3M0060065K), но они существенно дороже и требуют другого управления.

Правила подбора аналога (кросс-референс):

1. Напряжение (VDSS): Должно быть не менее 600В.
2. Ток (ID): Должен быть сопоставим или выше (32А и более).
3. Сопротивление (RDS(on)): Желательно близкое значение (около 190 мОм при 25°C).
4. Заряд затвора (Qg): Критически важный параметр для совместимости по драйверу. Аналог должен иметь схожее значение (~75 нКл).
5. Корпус: Предпочтительна одинаковая распиновка (TO-247).
6. Динамические характеристики: Время переключения, заряд обратного восстановления (Qrr) — особенно важно для LLC и PFC.

Краткое резюме

IPW60R190C6FKSA1 — это высокопроизводительный, надежный и популярный MOSFET для построения мощных и эффективных блоков питания. Его основными преимуществами являются низкие потери проводимости и переключения благодаря технологии CoolMOS™ C6.

Где искать информацию:

• Официальная страница продукта на Infineon: Поиск по полному номеру детали.
• Даташит (Datasheet): Всегда скачивайте последнюю версию с официального сайта Infineon для проектирования.
• Инструменты подбора аналогов (Cross-Reference): На сайтах дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key, LCSC) или в специализированных сервисах (например, Octopart).

При замене на аналог обязательно проводите полное сравнение по даташитам, особенно обращая внимание на динамические параметры (Qg, Qrr, времена переключения) и характеристики встроенного диода.