Infineon irf6616tr1pbf

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Infineon IRF6616TR1PBF.

Общее описание

IRF6616TR1PBF — это мощный N-канальный MOSFET с TrenchFET® технологии от Infineon, выполненный в корпусе DirectFET® (SJ). Он предназначен для высокоэффективных и компактных решений в схемах синхронного выпрямления и преобразования напряжения, прежде всего в низковольтных (ниже 25В) DC/DC преобразователях для процессорного питания (VRM, Voltage Regulator Module) в серверах, телекоммуникационном оборудовании и высокопроизводительных ПК.

Ключевые особенности:

• Корпус DirectFET®: Позволяет добиться исключительно низкого теплового сопротивления и индуктивности выводов за счет отсутствия bond-wires и прямой пайки кристалла к печатной плате. Это значительно улучшает эффективность и плотность мощности.
• Оптимизация для синхронного выпрямления: Имеет очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) при низком напряжении затвора, что минимизирует потери проводимости.
• Высокая скорость переключения: Малая заряд затвора (Qg) и выходная емкость (Coss) обеспечивают низкие динамические потери.
• Двойной источник (Dual Source): Конструкция корпуса позволяет эффективно отводить тепло как сверху, так и через контакты стока на плату.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | DirectFET® SJ | Размер: Средняя мощность | | Структура | TrenchFET® | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 30 В | Максимальное | | Ток стока (Id) | 85 А | При Tc=25°C (непрерывный) | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.6 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=42 А | | | 2.1 мОм (макс.) | Vgs=4.5 В, Id=25 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.2 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | 48 нКл (тип.) | Vgs=10 В, Id=42 А | | Входная емкость (Ciss) | 2900 пФ (тип.) | Vds=15 В, Vgs=0 В | | Выходная емкость (Coss) | 550 пФ (тип.) | Vds=15 В, Vgs=0 В | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1 Вт | При Tc=25°C | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 2.4 °C/Вт | От кристалла к корпусу | | Диод "сток-исток" | Встроенный (Body Diode) | Прямой ток (Is): 55 А |

Основное применение: Нижний ключ (синхронный выпрямитель) в многофазных DC/DC понижающих преобразователях для питания CPU/GPU/ASIC.

Парт-номера и прямые аналоги

Парт-номера — это альтернативные обозначения одного и того же компонента от производителя или для разных типов поставки.

• IRF6616TR1PBF — полный номер для заказа на ленте (Tape & Reel, 2500 шт.).
• IRF6616TR1 — базовая часть номера без указания упаковки.
• IRF6616 — основное коммерческое обозначение модели.

Совместимые и конкурирующие модели (Кросс-референс)

При поиске замены важно учитывать не только электрические параметры, но и механическую совместимость (распиновку и корпус). Прямых 100% аналогов в других корпусах нет, но есть функционально похожие модели от Infineon и конкурентов.

1. От Infineon (в том же корпусе DirectFET® SJ):

• IRF6618: Более высокое Rds(on) (~2.2 мОм при 4.5В), но часто используется в аналогичных схемах. Может быть более доступным вариантом.
• IRF6628 / IRF6638: Модели из той же серии с близкими параметрами, оптимизированные для работы с разными драйверами.
• BSC010NE2LS5 (OptiMOS 5): Более современная технология, имеет лучшее соотношение Rds(on)*Qg. Корпус L8 (SuperSO8), требует переразводки платы.
• BSC016N06NS3 (OptiMOS 3): Аналог в корпусе SuperSO8, с похожими характеристиками.

2. От других производителей (функциональные аналоги в корпусах PowerPAK, LFPAK, SO-8):

• Vishay / Siliconix:
  • SiR680DP (PowerPAK SO-8)
  • SiR654DP (PowerPAK SO-8)
• ON Semiconductor:
  • FDMS7650 (Power56)
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AON6414A (AlphaFET, корпус аналогичный DirectFET)
  • AON6262 (PowerPAK 1212)
• Nexperia:
  • PSMN4R2-30YLE (LFPAK56)

Важные замечания при замене:

1. Корпус DirectFET® уникален по монтажу. Прямая замена на корпус типа SO-8 невозможна без полного изменения разводки печатной платы.
2. При выборе аналога необходимо сравнивать ключевые параметры для вашего режима работы: Rds(on) при вашем Vgs, Qg, Coss, а также характеристики встроенного диода (Qrr, trr) если это критично.
3. Всегда проверяйте распиновку (pinout) выбранного аналога.
4. Для новых разработок рекомендуется рассматривать более современные поколения MOSFET (OptiMOS 5, 6 от Infineon или аналогичные от других вендоров), так как они предлагают лучшую эффективность.

Вывод: IRF6616TR1PBF — это высокопроизводительный MOSFET своего поколения, оптимальный для компактных и эффективных источников питания. При поиске замены в первую очередь стоит смотреть на другие модели Infineon в корпусе DirectFET® SJ, а для новых проектов — оценивать современные аналоги в совместимых посадочных местах.