Infineon IRG4BC30FPBF

Отличный выбор! IRG4BC30FPBF — это классический и очень надежный силовой IGBT-транзистор от Infineon, который десятилетиями используется в инверторных схемах.

Полное описание

IRG4BC30FPBF — это N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-220AB. Он сочетает в себе простоту управления по напряжению (как у MOSFET) и способность работать с высокими токами и напряжениями (как у биполярного транзистора).

Ключевые особенности и применение:

• Предназначен для работы на средних частотах (обычно до 20-40 кГц), что делает его идеальным для:

  • Инверторов и частотных преобразователей
  • Импульсных источников питания (SMPS)
  • Систем управления двигателями (двигатели бытовой техники, промышленные приводы)
  • Сварочных инверторов
  • Систем индукционного нагрева

• Имеет встроенный быстрый обратный диод (FWD - Free Wheeling Diode), что критически важно для коммутации индуктивных нагрузок (например, обмоток двигателей) и позволяет упростить схему.

• Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)) обеспечивает меньшие потери проводимости.

• Прямая пайка выводов в корпус TO-220 обеспечивает хороший отвод тепла через радиатор.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT со встроенным обратным диодом | | | Корпус | TO-220AB | Изолированный монтажный фланец | | Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора (Ic при 25°C) | 23 А | При условии хорошего охлаждения | | Ток коллектора импульсный (Icm) | 46 А | | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер (Vce(sat)) | 2.6 В (тип.) | При Ic=12А, Vge=15В | | Напряжение управления затвором (Vge) | ±20 В (макс.) | Стандартное рабочее: +15В / -5...-15В | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 3.0 - 5.5 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 63 нКл (тип.) | Параметр для расчета драйвера | | Время включения (ton) | 35 нс (тип.) | | | Время выключения (toff) | 230 нс (тип.) | | | Максимальная температура перехода (Tj) | +150 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 1.4 °C/Вт | |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Эти модели имеют идентичные или практически неотличимые характеристики и корпус, являются прямой заменой без изменений в схеме.

1. IRG4BC30FDPBF - Тот же транзистор, но поставляется в формате для автоматического монтажа (на ленте, Tape & Reel).
2. IRG4BC30F - Базовая версия без суффикса "PBF" (PBF означает "Lead-Free" - не содержит свинца). В современных условиях требуется именно PBF-версия.
3. IRG4BC30U - Аналог в корпусе TO-247 (более мощный корпус, лучшее охлаждение).
4. IRG4BC30KPBF - Более современная версия из серии "K", часто с улучшенными параметрами потерь.

Совместимые и аналогичные модели (от других производителей)

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: Vces (600В), Ic (не менее 20А), наличие встроенного диода, корпус и цоколевку.

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • HGTG20N60B3 (более современный и быстрый)
  • FGA25N120ANTD
• STMicroelectronics:
  • STGP20NC60HD (с диодом)
  • STGW20NC60VD (в корпусе TO-247)
• Fuji Electric:
  • 2MBI200N-060 (модуль, но для схожих задач)
• IXYS (Littelfuse):
  • IXGH20N60BD1

Важное замечание по замене: Несмотря на совместимость по основным параметрам, всегда необходимо проверять датшит (datasheet) на предмет различий в:

• Внутренней емкости затвора (Cies, Coes, Cres)
• Зависимости Vce(sat) от тока и температуры
• Рекомендуемых параметрах драйвера затвора
• Динамических характеристиках

IRG4BC30FPBF остается "рабочей лошадкой" для множества проектов благодаря оптимальному соотношению цена/надежность/доступность.