Infineon IRG4BC30WPBF

Infineon IRG4BC30WPBF
Артикул: 564337

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IRG4BC30WPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового IGBT-транзистора Infineon IRG4BC30WPBF.

Описание

IRG4BC30WPBF — это дискретный N-канальный IGBT-транзистор с быстрым и мягким восстановлением внутреннего диода (Fast Soft Recovery Diode), предназначенный для высокочастотных импульсных применений. Он принадлежит к серии IRGB4BC30, известной своим оптимальным балансом между скоростью переключения, насыщением напряжения и устойчивостью к короткому замыканию.

Ключевые особенности и применение:

  • Высокочастотное переключение: Специально разработан для работы на повышенных частотах (десятки кГц), что позволяет уменьшать габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов) в схемах.
  • Встроенный быстрый диод: Наличие обратного диода с мягкой характеристикой восстановления (Soft Recovery) снижает выбросы напряжения и электромагнитные помехи (EMI) в инверторных схемах.
  • Низкое падение напряжения в насыщенном состоянии (Vce(sat)): Обеспечивает меньшие потери проводимости и, как следствие, более высокий КПД и меньший нагрев.
  • Планарная технология: Обеспечивает высокую стойкость к лавинным процессам и стабильность параметров.
  • Корпус TO-247: Классический, широко распространенный корпус для силовых компонентов, удобный для монтажа и теплоотвода.

Основные области применения:

  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочные инверторы
  • Индукционные нагреватели
  • Приводы двигателей переменного тока (частотные преобразователи)
  • Импульсные источники питания (SMPS) высокой мощности

Основные технические характеристики (ТТХ)

При температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение | VCES | 600 | В | | Средний ток коллектора (при Tc=100°C) | IC | 23 | А | | Пиковый ток коллектора (макс.) | ICM | 46 | А | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) (тип.) | 1.65 | В @ Ic=23A, Vge=15V | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) | 3.0 - 6.0 | В | | Энергия включения | Eon (тип.) | 1.2 | мДж @ Ic=23A | | Энергия выключения | Eoff (тип.) | 0.65 | мДж @ Ic=23A | | Заряд затвора | Qg (тип.) | 63 | нКл | | Время включения / выключения | ton / toff (тип.) | 35 / 150 | нс | | Макс. рабочая температура перехода | Tj | 150 | °C | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.7 | °C/Вт |


Парт-номера и совместимые модели

Этот компонент имеет несколько вариантов обозначений и прямых или функциональных аналогов от других производителей.

1. Прямые аналоги Infineon (тот же кристалл/техпроцесс):

  • IRG4BC30W — базовая версия (вероятно, без суффикса, обозначающего упаковку/ленту).
  • IRG4BC30U — аналог в корпусе TO-247AC (отличается формой выводов, но электрически и теплово идентичен). Буква U в конце часто указывает на корпус TO-247AC.
  • IRG4BC30KD — возможный аналог в корпусе TO-247 Plus или другой модификации (требует уточнения по даташиту).

2. Функциональные аналоги и кроссплатформенные замены от других производителей:

Важно: При замене необходимо сверять распиновку (pinout), характеристики затвора (Vge, Qg) и динамические параметры. Чаще всего это прямые аналоги по корпусу и основным параметрам.

  • Fairchild / ON Semiconductor:
    • HGTG30N60B3 (очень близкий аналог по характеристикам)
    • FGA25N120ANTD (на другое напряжение/ток, требуется проверка)
  • STMicroelectronics:
    • STGW30NC60WD (N-канальный IGBT 600V/30A в TO-247)
    • STGE30NB60S (с встроенным диодом)
  • IXYS / Littelfuse:
    • IXGH30N60B3D1 (высокочастотной серии)
  • Toshiba:
    • GT30J321 (серия с быстрым диодом)

3. Ключевые параметры для поиска аналога:

При подборе замены ориентируйтесь на следующие параметры:

  1. Тип: N-канальный IGBT со встроенным обратным диодом (Fast Recovery / Soft Recovery Diode).
  2. Корпус: TO-247 (часто также маркируется как TO-247AC, TO-247-3).
  3. Напряжение VCES: 600 В.
  4. Ток IC: ~23-30 А (при температуре корпуса ~100°C).
  5. Ключевые особенности: Низкое Vce(sat) (~1.6-1.8В) и высокочастотное исполнение.

Рекомендация: Всегда используйте официальные даташиты (datasheet) как оригинальной детали, так и потенциального аналога для окончательного сравнения характеристик, особенно в критичных по надежности и производительности схемах. Поиск на электронных компонентных площадках (например, Octopart, LCSC, FindChips) по указанным параметрам поможет найти актуальные аналоги в наличии.

Товары из этой же категории