Infineon IRGP50B60PD1PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon IRGP50B60PD1PBF.

Описание

Infineon IRGP50B60PD1PBF — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, оптимизированный для работы в ключевом режиме в мощных силовых приложениях. Он принадлежит к серии PD (Punch Through) 2-го поколения, которая обеспечивает хороший баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и высокой стойкостью к короткому замыканию.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Низкое падение напряжения в открытом состоянии снижает коммутационные потери.
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 600В позволяет работать в сетях 380-400В постоянного тока, что типично для трехфазных инверторов от шины постоянного тока 540-600В.
• Встроенный быстрый обратный диод: Интегрированный ультрабыстрый диод (Co-Pack) защищает транзистор от обратных выбросов напряжения, что критически важно в инверторных и мостовых схемах.
• Основные области применения: Промышленные приводы (частотные преобразователи), источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование, индукционный нагрев, системы управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 600 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C @ 25°C | 75 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (непрерывный) | I_C @ 100°C | 50 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 150 А | Максимальный импульсный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.25 В (тип.) | I_C = 50А, V_GE = 15В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.0 В (тип.) | I_C = 250мА, V_CE = V_GE | | Общий заряд затвора | Q_g | 210 нКл (тип.) | V_GE = 15В, I_C = 50А | | Входная емкость | C_ies | 3300 пФ (тип.) | V_CE = 25В, V_GE = 0В, f = 1МГц | | Энергия включения/выключения | E_on / E_off| 4.5 мДж / 1.5 мДж (тип.) | Указаны в даташите для конкретных условий | | Встроенный диод: прямое напряжение | V_F | 2.0 В (тип.) | I_F = 50А, T_j = 25°C | | Максимальная температура перехода | T_j | +175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.45 °C/Вт | | | Корпус | - | TO-247 (Through-Hole, 3 вывода) | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые / Альтернативные модели

При поиске замены или аналога важно учитывать не только электрические параметры (Vces, Ic), но и динамические характеристики (Qg, Esw), а также тип технологии (PT/NPT/Trench).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии или новее):

• IRGP50B60PD1-EP – Версия с расширенным температурным диапазоном для военных/аэрокосмических применений.
• IRGPC50B60PD1PBF – Ближайший аналог в корпусе TO-247AC (с вырезом для изоляции). Электрически идентичен, отличается формой корпуса для лучшего крепления изолирующих прокладок.
• Модели из более новых серий Infineon (например, IGBT4 Trench или IGBT7) требуют пересмотра схемы управления, так как имеют другие характеристики по заряду затвора и рекомендуемому напряжению Vge. Прямой заменой "в пайку" не являются.

2. Функционально совместимые модели от других производителей (600В, ~50-75А, с диодом, TO-247):

• Fuji Electric:
  • 2MBI75N-060 (2-й модуль в одном корпусе) или дискретные аналоги серии MBI.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FGH75N60SMD (серия Super Junction IGBT, очень популярный аналог).
  • HGTG75N60A4D.
• STMicroelectronics:
  • STGP50H60DF (серия HD/D, с диодом).
• IXYS (ныне часть Littelfuse):
  • IXGH75N60BD1.
• Toshiba:
  • GT50QR21 (и другие из серии GTxxQRxx).

3. Важные замечания по совместимости:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Перед заменой необходимо сравнить ключевые параметры: Vce(sat), Qg, Vf диода, характеристики переключения (Eon/Eoff).
2. Корпус: Обращайте внимание на маркировку: TO-247, TO-247AC, TO-247-3L — могут иметь различия в монтаже.
3. Схема управления: Разный заряд затвора (Qg) требует проверки возможности драйвера обеспечить необходимые токи заряда/разряда без перегрева.
4. Рекомендуемое напряжение затвора: У старых IGBT (как IRGP50B60PD1) часто Vge = ±20В (рабочее +15В). У современных моделей стандартом стало Vge = ±20В (рабочее +15В/-5..-10В для надежного запирания).

Вывод: IRGP50B60PD1PBF — проверенный, надежный IGBT для мощных инверторов среднего класса. Наиболее прямым и безопасным аналогом является IRGPC50B60PD1PBF от того же производителя. При выборе аналога от другого бренда, такой как FGH75N60SMD, требуется инженерная верификация по динамическим параметрам в конкретной схеме.