Infineon IRL7833PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRL7833PBF.

Описание и применение

IRL7833PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET от Infineon. Ключевая особенность этого транзистора — очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при рабочем напряжении 3.3 В на затворе, что делает его идеальным для современных низковольтных и высокоэффективных применений.

Основные преимущества:

• Оптимизация для 3.3В логики: Полностью открывается при напряжении затвор-исток (Vgs) 3.3 В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (GPIO 3.3V), FPGA, ASIC без использования драйверов уровня.
• Высокая эффективность: Чрезвычайно низкое RDS(on) минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии.
• Высокая стоковая способность: Рассчитан на постоянный ток до 195А в импульсе до 780А, что подходит для самых требовательных нагрузок.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям, что важно для импульсных преобразователей.

Типичные области применения:

• DC-DC преобразователи (низковольтные шины питания процессоров, памяти, ASIC).
• Управление мощной нагрузкой: Моторы, светодиоды, силовые реле.
• Синхронное выпрямление в источниках питания и преобразователях.
• Системы управления батареями (BMS).
• Схемы защиты от обратной полярности (eFuse).

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (TrenchFET) | | | Корпус | TO-220 (Through-Hole) | Позволяет крепить на радиатор. | | Стандарт упаковки | Трубка (Tube) | | | Макс. напряжение «сток-исток» (Vds) | 30 В | | | Непрерывный ток стока (Id) | 195 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 780 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.3 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При Vgs = 3.3 В, Id = 50 А | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.0 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 50 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 0.9 - 2.2 В | Тип. 1.5 В (обеспечивает уверенное открытие от 3.3В) | | Макс. напряжение «затвор-исток» (Vgs) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | 170 нКл (тип.) | При Vgs = 3.3 В (показывает легкость управления) | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При Tc = 25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток (Body Diode) | Встроенный | Прямой ток (Is) до 195 А, время восстановления (trr) ~ 80 нс. | | Рабочая температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги и кросспарты:

Это транзисторы с максимально близкими параметрами (корпус, Vds, Rds(on) при 3.3В), которые можно рассматривать для замены в новой разработке или для снижения зависимости от одного производителя.

| Производитель | Парт-номер | Корпус | Vds | Rds(on) при 3.3В (макс.) | Ключевые отличия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Infineon | IRL7833PBF | TO-220 | 30В | 1.3 мОм | Базовая модель. | | Vishay / Siliconix | SIRA03DP | TO-220 | 30В | 1.8 мОм | Немного выше сопротивление. | | ON Semiconductor | NTMFS5C604NL | TO-220 | 30В | 0.6 мОм | Лучший параметр Rds(on), но может быть дороже. | | STMicroelectronics | STL320N3LLH6 | TO-220 | 30В | 1.2 мОм | Очень близкий аналог, отличная альтернатива. | | Alpha & Omega Semiconductor | AOT415 | TO-220 | 30В | 1.5 мОм | Хороший бюджетный вариант. |

Совместимые модели в других корпусах (от Infineon):

Для тех же задач, но в другом форм-факторе.

| Производитель | Парт-номер | Корпус | Особенности | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Infineon | IRL7833TRPBF | D²PAK (TO-263) | SMD-аналог IRL7833PBF. Идеален для автоматического монтажа. | | Infineon | IRL7833LTRPBF | D²PAK (TO-263) | Вариант с еще более низким Rds(on) (1.0 мОм при 3.3В). | | Infineon | IRL7833L1TRPBF | D²PAK (TO-263) | Модификация с улучшенными характеристиками. |

Важные замечания по замене:

1. Всегда проверяйте даташит! Перед заменой необходимо сверить не только ключевые параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и характеристики, важные для вашей схемы: заряды затвора (Qg, Qgd), скорость переключения, параметры встроенного диода.
2. Корпус: Прямая замена TO-220 на TO-220 проста. Замена на SMD-корпус (D²PAK) требует изменения разводки печатной платы.
3. Радиатор: Из-за высокой мощности транзистор обязательно требует установки на радиатор в большинстве применений с большими токами.

Вывод: Infineon IRL7833PBF — это высокопроизводительный MOSFET, ставший отраслевым стандартом для задач, где требуется управление высокими токами от низковольтной логики 3.3В. При выборе аналога рекомендуется в первую очередь обратить внимание на модели STL320N3LLH6 (ST) и NTMFS5C604NL (ON Semi), а для S-монтажа — на IRL7833TRPBF.