Infineon SKW15N120

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon SKW15N120.

Общее описание

Infineon SKW15N120 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, корректорах коэффициента мощности (PFC) и других силовых преобразовательных устройствах, где критически важны высокое напряжение, низкие динамические потери и высокая эффективность.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™, воплощенные в этой модели:

• Высокое напряжение сток-исток: 1200 В, что делает его пригодным для работы в сетях 220/380В.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Позволяет минимизировать conduction losses (потери на проводимость).
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям, что снижает switching losses (коммутационные потери).
• Отсутствие эффекта "вторичного пробоя": Характерного для IGBT, что повышает надежность.
• Планарная технология: Обеспечивает высокую стабильность и стойкость к динамическим процессам.

Основные области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) промышленного и бытового назначения.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в топологии "boost".
• Инверторы, драйверы двигателей.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Системы освещения (LED-драйверы высокой мощности).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | | | Технология | Infineon CoolMOS™ | | | Корпус | TO-247 | Стандартный силовой корпус | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 1200 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (I_D) | 15 А | При температуре корпуса 25°C | | Сопротивление в откр. сост. (R_DS(on)) | 0.45 Ом (макс.) | При V_GS=10 В, I_D=7.5 А | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 45 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 156 Вт | На идеальном радиаторе при T_c=25°C | | Диод обратного восстановления (Body Diode) | Есть | Встроенный обратный диод |

Важное примечание: Для точного расчета и проектирования всегда используйте официальный Datasheet (лист технических данных) от Infineon.

Парт-номера и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько стандартных обозначений в зависимости от упаковки и маркировки. Основной парт-номер — SKW15N120.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: Поскольку SKW15N120 — часть обширного семейства Super MOSFET, у него есть множество функциональных аналогов от конкурентов с похожими или улучшенными параметрами. Перед заменой обязательно сверяйте распиновку и проверяйте ключевые параметры в даташите.

| Производитель | Модель аналога | Примечание (чем похож/отличается) | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW15N120K5 | Очень близкий аналог, также 1200В / 15А, технология MDmesh™ K5. Один из самых популярных аналогов. | | ON Semiconductor | FCP15N60N | Внимание! Напряжение 600В. Подходит только для низковольтных частей схем. | | ON Semiconductor | FCP11N60FT | Внимание! Напряжение 600В. | | Fairchild/ON Semi | FCH15N120 | Прямой аналог от Fairchild (ныне ON Semi). | | IXYS | IXFH15N120 | Высоковольтный MOSFET от IXYS. | | IR (Infineon) | IRFB15N120 | Более старая модель от International Rectifier (ныне Infineon). | | Toshiba | TK15A60W | Внимание! Напряжение 600В. |

Семейство CoolMOS™ от Infineon (для выбора модели в своем проекте):

• SKW15N120 — базовая модель.
• SPW15N120C3 — более новая версия в корпусе TO-247, часто с улучшенными параметрами.
• IPP15N120 — аналог в корпусе TO-220 (для меньших мощностей).
• IKW15N120 — аналог в корпусе TO-247.
• Более новые поколения: C6, C7, G7 (например, IPP60R180C7) — имеют значительно лучшие характеристики (ниже Rds(on), выше частота), но могут отличаться по цене и наличию.

Рекомендации по применению и замене

1. Проверка параметров: При замене на аналог обращайте внимание на три ключевых параметра: V_DSS (напряжение), I_D (ток) и R_DS(on) (сопротивление). Они должны быть не хуже, чем у оригинала.
2. Драйвер затвора: Из-за высокой скорости переключения и наличия паразитных индуктивностей крайне важна качественная разводка платы и правильный подбор драйвера затвора (с достаточным током заряда/разряда).
3. Тепловой режим: Корпус TO-247 требует обязательного использования радиатора. Качество теплового контакта напрямую влияет на надежность.
4. Anti-Parallel Diode: Встроенный обратный диод не является быстрым (FRED). В схемах, где важна скорость обратного восстановления (например, мостовые топологии), часто используют внешние быстрые диоды.

Вывод: Infineon SKW15N120 — проверенный, надежный высоковольтный MOSFET, отлично зарекомендовавший себя в силовой электронике. Его прямой и наиболее распространенный аналог — STW15N120K5 от STMicroelectronics.