Infineon SPA17N80C3

Отличный выбор! Infineon SPA17N80C3 — это высоковольжный MOSFET-транзистор, известный своей надежностью и эффективностью в импульсных источниках питания. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

SPA17N80C3 — это N-канальный мощный MOSFET, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Эта линейка является эволюцией знаменитых CoolMOS и оптимизирована специально для высокочастотных и высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS).

Ключевая идея технологии CoolMOS C3: Достижение экстремально низкого сопротивления открытого канала (RDS(on)) при сохранении отличных динамических характеристик (низкие заряды затвора и выходной емкости). Это позволяет:

• Повысить общий КПД источника питания.
• Уменьшить тепловыделение, что позволяет использовать радиаторы меньшего размера.
• Работать на более высоких частотах коммутации, что ведет к уменьшению габаритов пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Упростить схемотехнику драйвера затвора благодаря низкому заряду.

Основное применение:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в топологии "critical conduction mode" (CrCM).
• Инверторы для сварочного оборудования, ИБП.
• Любая схема, где требуется высокоэффективная коммутация высокого напряжения (до 800В).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET, CoolMOS™ C3 | | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 800 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.28 Ом (макс.) при V_GS=10В, I_D=8.5А | Ключевой параметр, определяющий потери на проводимость. Очень низкое значение. | | Постоянный ток стока (I_D) при T_C=25°C | 17 А | Максимальный средний ток через транзистор. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 68 А | Кратковременный пиковый ток. | | Заряд затвора (Q_g) | 52 нКл (тип.) | Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | При идеальном охлаждении корпуса до 25°C. | | Корпус | TO-247 | Классический корпус для силовых компонентов, удобен для монтажа на радиатор. | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Есть | Встроенный обратный диод (индуктивная нагрузка). |

Преимущества:

• Высокая эффективность и плотность энергии.
• Высокая помехоустойчивость и надежность.
• Оптимизирован для жесткого переключения (hard switching).
• Соответствие стандарту RoHS.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно компонент имеет один основной номер для заказа. SPA17N80C3 — это и есть базовый парт-номер Infineon.

Полный номер для заказа (Ordering Code) может включать информацию о упаковке:

• SPA17N80C3 — вероятно, в трубке или россыпью.
• SPA17N80C3FKSA1 — может указывать на конкретную упаковочную ленту (Tape & Reel).

Совместимые модели и аналоги от других производителей (Прямые или близкие замены)

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитами, особенно по цоколевке, динамическим характеристикам и значениям пороговых напряжений.

1. Прямые аналоги (тот же класс 800В / ~17А / низкое RDS(on)):

• Infineon: IPP17N80C3 (аналогичный рейтинг, возможно, в другом корпусе).
• STMicroelectronics: STW17N80K5 (линейка MDmesh™ K5, очень близкие параметры, популярная замена).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP17N80 (линейка SuperFET®, хороший аналог).
• Vishay (Siliconix): SUD17N80-5 (линейка EpiFET™).

2. Аналоги с близкими параметрами (возможна замена после перерасчета):

• Infineon SPA18N80C3 (18А, RDS(on)=0.25 Ом) — более мощный.
• Infineon SPA15N80C3 (15А, RDS(on)=0.32 Ом) — менее мощный.
• STMicroelectronics STW18N80K5, STW15N80K5.
• ON Semiconductor FCP18N80, FCP16N80.

3. Ключевые аналоги от других производителей в том же форм-факторе (TO-247, 800В):

• Toshiba: TK17N80W (линейка U-MOS VIII).
• IXYS (Littelfuse): IXFH17N80X (линейка X-класса).

Рекомендации по замене

1. Приоритет: Лучше всего искать аналог той же технологии (CoolMOS C3 от Infineon или аналогичные MDmesh K5 от ST, SuperFET от ON).
2. Основные параметры для сравнения: V<sub>DSS</sub> (должен быть не менее 800В), I<sub>D</sub>, R<sub>DS(on)</sub> и Q<sub>g</sub> (заряд затвора). Если Q<sub>g</sub> сильно отличается, может потребоваться проверка работы драйвера.
3. Корпус: Обращайте внимание на цоколевку (pinout). У TO-247 она обычно стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), но бывают исключения.
4. Динамические характеристики: В ответственных схемах стоит также сравнить графики зависимостей емкостей (C_iss, C_oss, C_rss).

Где искать: Для подбора аналогов используйте агрегаторы электронных компонентов, такие как Octopart, LCSC, FindChips, или базы данных производителей (Infineon, ST, ON Semi).