Infineon SPB12N50C3

Отличный выбор! SPB12N50C3 — это мощный и надежный полевой транзистор (MOSFET) от Infineon, пользующийся популярностью в силовой электронике. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Краткое описание

Infineon SPB12N50C3 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™ C3). Ключевые преимущества этой серии — очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) и высокая скорость переключения, что приводит к минимальным потерям проводимости и переключения. Он предназначен для работы в жестких импульсных режимах.

Основное назначение: Применяется в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, Flyback, Forward, Half-Bridge), в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), инверторах и системах управления двигателями.

Технические характеристики (Key Parameters)

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET (Enhancement Mode)
• Технология: CoolMOS™ C3 (Super Junction)
• Напряжение "сток-исток" (V_DSS): 500 В - класс 500В, что позволяет работать в сетевых схемах (220/380В) с запасом по напряжению.
• Ток стока (I_D) при T_C=25°C: 12 А - максимальный постоянный ток.
• Ток стока (I_D) импульсный: 48 А - максимальный кратковременный импульсный ток.
• Сопротивление канала "сток-исток" (R_DS(on)): 0.45 Ом (макс.) при напряжении затвор-исток V_GS=10 В. Низкое значение — главный плюс, снижает нагрев.
• Заряд затвора (Q_g) (тип.): 28 нКл - важный параметр для расчета драйвера затвора. Относительно невысокий заряд упрощает управление.
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.0 - 5.0 В (стандартный диапазон для управления).
• Корпус: TO-220 - классический, удобный для монтажа на радиатор корпус.
• Паразитный диод: Встроенный обратный диод (Body Diode).

Важные особенности технологии CoolMOS C3:

• Высокая эффективность переключения.
• Высокая устойчивость к динамическим процессам (dv/dt).
• Оптимизирован для работы в диапазоне частот от десятков до нескольких сотен кГц.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл производитель маркирует разными номерами в зависимости от корпуса или внутренних тестов. Для SPB12N50C3 основная маркировка именно такая.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей (Ключевые параметры: 500В, ~12А, RDS(on) ~0.4-0.5 Ом, TO-220):

При подборе аналога обязательно сверяйте datasheet, особенно цоколевку (pinout) и динамические характеристики!

От Infineon (прямые замены в других корпусах или из других серий):

• IPP12N50C3 - аналог в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный от радиатора).
• SPB12N50C3-03 - может быть вариантом с улучшенными параметрами партии.
• IPA12N50C3 - в корпусе TO-220FP (изолированный).
• Более новые серии от Infineon (например, CoolMOS™ C7, P7) будут иметь лучшие параметры, но могут требовать пересчета драйвера.

Аналоги от других популярных производителей:

• STMicroelectronics:
  • STP12N50K5 (FK5 series) - очень близкий аналог по характеристикам.
  • STP12NM50 (MDmesh™ series) - также хорошая замена.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP12N50 - SuperFET® MOSFET.
  • FDP12N50 - с быстрым обратным диодом.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP12N50-21 (или аналоги из серии).
• IXYS:
  • IXFH12N50P - мощный аналог.
• International Rectifier (IR):
  • IRFB12N50KPBF - классическая модель, может быть немного устаревшей по сравнению с CoolMOS.

Применение и замена

1. При замене SPB12N50C3 на аналог в первую очередь смотрите на:
   • V_DSS (должно быть не менее 500В).
   • I_D (не менее 12А).
   • R_DS(on) (желательно меньше или равно).
   • Корпус и цоколевку (TO-220 стандарт: 1-Затвор, 2-Исток, 3-Сток).
   • Заряд затвора (Q_g) - если он сильно отличается, драйвер может не справиться.
2. Где искать: Указанные аналоги широко представлены у крупных дистрибьюторов электронных компонентов (Mouser, Digi-Key, Chipdip, Элитан и т.д.).

Важно: Данное описание основано на открытых технических данных (datasheet). Для критичных применений всегда обращайтесь к официальному даташиту на конкретную партию компонентов.