Infineon SPB18P06P

Артикул: 564834

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon SPB18P06P

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового P-канального MOSFET транзистора Infineon SPB18P06P.

Общее описание

SPB18P06P — это P-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к серии SPB, оптимизированной для высокой эффективности и надежности в силовых приложениях, где требуется низкое сопротивление открытого канала и способность к высокому току.

Ключевые особенности:

P-канальный: Упрощает схему управления в некоторых приложениях (например, для верхнего плеча в мостовых схемах или управления питанием), так как для его полного открытия напряжение на затворе должно быть ниже напряжения истока.
Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Минимальные потери мощности в открытом состоянии, что повышает общий КПД системы и уменьшает нагрев.
Высокий постоянный ток стока: Способен коммутировать большие токи, что делает его пригодным для управления мощными нагрузками.
Планаровая технология: Обеспечивает высокую повторяемость параметров и надежность.
Корпус TO-263: Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), имеет удобную площадку для отвода тепла, что позволяет эффективно рассеивать мощность.

Основные области применения:

Управление питанием (Power Switching) в источниках питания, DC-DC преобразователях.
Силовые ключи в автомобильной электронике (например, управление соленоидами, фарами, нагревателями).
Инверторы, H-мосты для управления двигателями.
Защита от обратной полярности (Reverse Polarity Protection).
Высокотоковые переключатели нагрузки.

Технические характеристики (кратко)

Важное примечание: Для P-канальных MOSFET все напряжения и токи обычно указываются как отрицательные величины (относительно истока). На практике в схемах это учитывается полярностью подключения.

Парт-номера и совместимые модели

Этот транзистор может встречаться под разными обозначениями в зависимости от производителя и стандартов маркировки.

1. Прямые аналоги (полные замены)

Это модели с максимально близкими или идентичными характеристиками и цоколевкой (корпус TO-263). Перед заменой всегда рекомендуется сверяться с даташитом.

Infineon: IPB18P06P (более новая серия, часто является прямым аналогом).
STMicroelectronics: STP18P06P — один из самых популярных и распространенных прямых аналогов.
Vishay / Siliconix: SUP18P06-08 (серия TrenchFET® P-Channel).
Fairchild / ON Semiconductor: FDD18P06 (в корпусе TO-252) — аналог по параметрам, но в корпусе DPAK, требует проверки совместимости по монтажу.
IR (International Rectifier): IRF7416 (более современный аналог, часто с лучшими параметрами).

2. Близкие по характеристикам модели (возможная замена с проверкой)

Модели с похожими или лучшими ключевыми параметрами (V_DSS, I_D, R_DS(on)). Важно: Необходимо проверять пороговое напряжение (V_GS(th)) и заряд затвора (Q_g) для совместимости с драйвером.

Infineon: IPB12P06P (I_D = -12A), IPB25P06P (I_D = -25A).
STMicroelectronics: STP20P06 (I_D = -20A), STP25P06 (I_D = -25A).
Vishay: SQP18P06-08 (в корпусе TO-263).
ON Semiconductor: NTMFS18P06 (более современная технология, низкое R_DS(on)).

3. Ключевые параметры для поиска аналога

При подборе замены ориентируйтесь на следующие параметры в порядке важности:

Тип и полярность: P-Channel MOSFET.
Корпус: TO-263 (D²PAK). Возможна замена на TO-220 (для монтажа в отверстия) или TO-252 (DPAK, если позволяет место и тепловой режим).
Напряжение V_DSS: Должно быть не менее -60В (лучше с запасом).
Ток I_D: Не менее -18А.
Сопротивление R_DS(on): Сопоставимое или меньшее при аналогичном V_GS.

Рекомендация: Всегда используйте последние версии даташитов от производителей для окончательного подтверждения совместимости, особенно в критичных по надежности применениях.