Infineon TTB6C110N12KOF

Отличный выбор! TTB6C110N12KOF — это мощный и современный IGBT-транзистор с диодом обратного хода (в корпусе TO-247-3), разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к серии TRENCHSTOP™ 6, которая славится высоким КПД, низкими потерями и надежностью.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

TTB6C110N12KOF — это NPT (Non-Punch Through) IGBT 6-го поколения с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 110 А (при 100°C). Ключевая особенность — встроенный ультрабыстрый диод обратного хода (Emitter Controlled 6 Diode), что делает его идеальным для построения мощных инверторных плечей без необходимости внешнего диода.

Основные преимущества:

• Высокая эффективность: Низкое падение напряжения в насыщении (V_CE(sat)) и оптимизированные динамические потери.
• Высокая стойкость к перенапряжениям: Хорошая способность работать в условиях выбросов напряжения.
• Широкий диапазон рабочих температур: До 175°C на переходе.
• Прямая замена для многих моделей: Совместим по выводам и характеристикам с популярными аналогами других производителей.
• Надежность: Корпус с изолированным монтажным фланцем (изолирующая теплопроводящая прокладка не требуется, если нет требований к гальванической развязке всей системы).

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 В | - | | Непрерывный ток коллектора | I_C @ 100°C | 110 А | T_vj = 100°C | | Ток коллектора импульсный | I_CM | 220 А | - | | Падение напряжения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 1.85 В (тип.) | I_C = 110А, V_GE = 15В | | Напряжение отпирания затвора | V_GE | ±20 В (макс.) | Рекомендуемое: +15В / -5...-15В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) | 5.3 В (тип.) | I_C = 250мА, V_CE=V_GE | | Общий заряд затвора | Q_g | 340 нКл (тип.) | V_GE = 15В, I_C = 110А | | Энергия включения/выключения | E_on / E_off | 8.5 мДж / 6.5 мДж (тип.) | - | | Время включения/выключения | t_on / t_off | 45 нс / 400 нс (тип.) | - | | Параметры встроенного диода: | | | | | - Непрерывный прямой ток | I_F | 110 А | - | | - Прямое напряжение диода | V_F | 1.9 В (тип.) | I_F = 110А | | - Время восстановления диода | t_rr | 85 нс (тип.) | - | | Максимальная температура перехода | T_vj | +175 °C | - | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 0.25 К/Вт | - | | Корпус | - | TO-247-3 | Изолированный фланец |

Part-номера (Парт-номера) и аналоги

Infineon часто использует разные префиксы для одного и того же кристалла в зависимости от упаковки, тестирования или логистической цепи.

Прямые аналоги от Infineon:

• TT60N12KOF — практически идентичное устройство, парт-номер из предыдущих каталогов. TTB6C110N12KOF является его актуальной версией.
• IKW75N120T2 — очень близкий аналог из серии TRENCHSTOP™ 5 (75А, 1200В, TO-247). Может рассматриваться в менее нагруженных схемах.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей (прямая или близкая замена, но ВСЕГДА требуется проверка даташитов!):

| Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Fuji Electric | 2MBI200VN-120-50 | Модуль на 200А, но часто используется как аналог по напряжению и току в дискретном исполнении. Для дискретных: FGA75N120ANTD (75А) | | Mitsubishi (ныне Mitsubishi Electric) | CM200DY-12NFH | Модуль на 200А. Из дискретных: CT75AM-12F1 (75А) | | ON Semiconductor | NGTB75N120IHLWG (75А) или FGH75T120SMD (75А) | Следует искать модели с встроенным диодом. | | STMicroelectronics | STGW75H120DF2 (75А) | Серия H-серии, требует проверки параметров. | | IXYS (часть Littelfuse) | IXGH75N120B3D1 (75А) | Классический аналог. | | Toshiba | GT75QR121 (75А) | | |

Важное замечание по аналогам: Хотя многие модели имеют схожие напряжения и токи (часто 75А/1200В), TTB6C110N12KOF выдает 110А, что делает его более мощным. При замене на менее мощный аналог (например, на 75А) необходим тщательный тепловой и электрический перерасчет. Полноценными аналогами по току могут быть модули или более новые поколения IGBT других брендов.

Типичные области применения

Благодаря своим характеристикам, этот IGBT широко используется в мощных инверторных и импульсных схемах:

• Промышленные частотные преобразователи (инверторы)
• Сварочные аппараты
• Системы плавного пуска электродвигателей (софт-стартеры)
• Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
• Индукционные нагреватели
• Солнечные инверторы

Рекомендация: Перед заменой или использованием всегда сверяйтесь с официальным даташитом (Data Sheet) на сайте Infineon, так как в нем содержится полная информация, включая зависимости параметров от температуры, диаграммы безопасной работы (SOA) и рекомендации по монтажу.