Комплектующие для промышленного оборудования Программное обеспечение Для автомобилей Запчасти Сельхозназначение
Корзина
@
Регистрация Забыли пароль

Mitsubishi BC186A788G52

Mitsubishi BC186A788G52
Артикул: 597481
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Варианты оплат Варианты доставки

Описание Mitsubishi BC186A788G52

Отличный выбор! Mitsubishi BC186A788G52 — это высоковольтный силовой биполярный транзистор (BJT) с изолированным коллектором, известный как IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor). Он широко использовался в мощных инверторах, частотных преобразователях, источниках сварочного тока и промышленных системах управления.

Вот подробное описание, характеристики и совместимая информация.

Описание и применение

Транзистор BC186A788G52 представляет собой N-channel IGBT третьего поколения в популярном корпусе TO-3P (одиночный транзистор). Его ключевые особенности:

  • Высокое напряжение: Предназначен для работы в цепях с напряжением до 1200В, что делает его пригодным для сетей 380В и 480В переменного тока.
  • Высокий ток: Способен коммутировать значительные токи (до 25А).
  • Встроенный быстрый диод: В одном корпусе интегрирован IGBT и обратный диод (FWD - Free Wheeling Diode), что упрощает конструкцию схем и защищает транзистор от обратных выбросов напряжения.
  • Низкое напряжение насыщения: Характеризуется относительно низким падением напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)), что снижает потери на нагрев.
  • Изолированный коллектор: Позволяет устанавливать транзистор на общий радиатор без изолирующих прокладок (через слюдяную или керамическую шайбу, если требуется электрическая изоляция).

Типичные области применения:

  • Частотные преобразователи (инверторы) для управления асинхронными двигателями.
  • Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты).
  • Источники бесперебойного питания (ИБП) большой мощности.
  • Системы плавного пуска электродвигателей.
  • Промышленные индукционные нагреватели.

Основные технические характеристики (ТТХ)

Приведены абсолютные максимальные и типичные значения.

| Параметр | Обозначение | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток коллектора (при 100°C) | IC | 25 А | Непрерывный ток | | Ток коллектора (импульсный) | ICP | 50 А | Кратковременная нагрузка | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | 3.0 В (тип.) | При IC=25А, VGE=15В | | Напряжение затвор-эмиттер | VGES | ±20 В | Максимальное напряжение на затворе | | Пороговое напряжение затвора | VGE(th) | 4.0 - 6.0 В | Напряжение включения | | Время включения | ton | 90 нс (тип.) | | | Время выключения | toff | 320 нс (тип.) | | | Параметры встроенного диода | | | | | * Прямой ток диода* | IF | 25 А | | | * Прямое напряжение диода* | VF | 2.5 В (тип.) | При IF=25А | | Рассеиваемая мощность | PC | 200 Вт | При Tc=25°C | | Температура перехода | Tj | -40 до +150 °C | Рабочий диапазон | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) | 0.625 °C/Вт | |

Парт-номера и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько обозначений в зависимости от производителя и стандарта маркировки.

Основной парт-номер Mitsubishi:

  • BC186A788G52 (полная маркировка на корпусе)

Прямые функциональные аналоги (с максимально близкими параметрами Vce=1200V, Ic=25A):

  1. Mitsubishi (Renesas):

    • CM300DY-12NF (сдвоенный IGBT в модуле, но один канал полностью аналогичен)
    • CT30SM-12 (более новая серия, возможна замена с проверкой распиновки)
    • GT25Q121 (одиночный, TO-3P)

  2. Fuji Electric:

    • 2MBI25N-120 (одиночный, TO-3P)
    • 1MBI25UB-120 (в корпусе с изолированной базой)

  3. International Rectifier (Infineon):

    • IRG4PH40UD (1200В, 40А - более высокий ток, но часто используется для замены)
    • IRG4PH50UD

  4. Toshiba:

    • GT25Q122 (очень близкий аналог)

  5. STMicroelectronics:

    • STGW25NH120 (современный аналог, часто рекомендуется для замены)

Совместимые модели (где часто встречается BC186A788G52)

Этот IGBT широко применялся в силовой электронике 2000-х - начала 2010-х годов. Его можно встретить в оборудовании следующих брендов и типов:

1. Частотные преобразователи (инверторы):

  • Delta Electronics: Серии VFD-EL, VFD-B, VFD-S.
  • Mitsubishi Electric: Серии FR-E500, FR-D700 (в выходных каскадах).
  • Hyundai (Hi-Tech): Серии N700, H100.
  • LG (LS Industrial Systems): Серии iG5, iS7.
  • Китайские инверторы: Множество моделей мощностью от 7.5 кВт до 22 кВт.

2. Сварочные инверторы:

  • Ресанта: Некоторые модели SAKI, PRO.
  • Fubag: Ряд моделей.
  • Кедр, Торус, Форсаж, Барс и другие российские/китайские бренды.

3. Источники бесперебойного питания (ИБП):

  • Промышленные ИБП мощностью 10-30 кВА.

Важные замечания при замене:

  1. Распиновка: Всегда проверяйте цоколевку (распиновку) аналога. Хотя у TO-3P она часто стандартна (1-Gate, 2-Collector, 3-Emitter), бывают исключения.
  2. Характеристики: Обращайте внимание не только на VCES и IC, но и на VCE(sat), время переключения и заряд затвора (Qg). От этого зависит работа драйвера управления.
  3. Пара "верхний-нижний" ключ: В мостовых схемах часто выходят из строя оба ключа одного плеча. Меняйте их парой.
  4. Драйверы: При выходе IGBT из строя обязательно проверяйте драйверы управления (например, микросхемы типа PC929, A316J, TLP250), так как их неисправность часто является причиной поломки транзистора.

Рекомендация: Для ремонта в настоящее время часто используют более современные и доступные аналоги, такие как STGW25NH120 или IRG4PH40UD, предварительно убедившись в совместимости по электрическим параметрам и механическому креплению.

Товары из этой же категории