Mitsubishi TS5208N510

Mitsubishi TS5208N510 – Описание и технические характеристики

Описание:

TS5208N510 – это высоковольтный транзистор NPN-типа, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах. Изготовлен по технологии Fast Switching IGBT, что обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | NPN IGBT | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 510 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 40 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_C) | 150 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | ≤ 2.0 В (при I_C = 20 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс (типовое) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (типовое) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги:

• Оригинальный номер: TS5208N510
• Аналоги и замены:
  • STMicroelectronics: STGW40NC50WD
  • Infineon: IHW40N50R5
  • Fairchild (ON Semiconductor): FGH40N50SFD
  • Toshiba: GT50J325

Совместимые модели и применение:

• Используется в:
  • Импульсных блоках питания (SMPS)
  • Инверторах и преобразователях частоты
  • Сварочных аппаратах
  • Системах управления электродвигателями
• Совместим с платами, где применяются IGBT-транзисторы с аналогичными параметрами (510 В, 20–40 А).

Если вам нужна более точная информация по аналогам или схемы применения, уточните условия эксплуатации.