Fairchild FQP19N20C

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых аналогах для транзистора Fairchild FQP19N20C (ныне бренд ON Semiconductor).

Описание

Fairchild FQP19N20C — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, произведенный по технологии QFET® (Planar Stripe). Эта технология обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и высокую скорость переключения.

Основное назначение:

• Импульсные источники питания (SMPS).
• AC/DC и DC/DC преобразователи (топологии flyback, forward, half-bridge).
• Управление двигателями (мотор-контроллеры).
• Цепи с высоковольтной коммутацией.
• Блоки питания для сварочных аппаратов, ИБП, LED-драйверов.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии: обычно около 0.23 Ом.
• Низкий заряд затвора (Qg) — улучшает эффективность переключения.
• 100%-ная проверка на лавинный пробой (энергия лавины тестируется).
• Улучшенная стойкость к dV/dt.
• Корпус: TO-220 (I2PAK).

Технические характеристики (Specifications)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип | N-канал (N-Channel) | | | Напряжение сток-исток (VDS) | 200 В | Max | | Ток стока (ID) при 25°C | 19 А | Continuous (непрерывный) | | Ток стока (ID) при 100°C | 13.5 А | Continuous (с учётом нагрева) | | Импульсный ток стока (IDM) | 76 А | | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В | Max | | Сопротивление (RDS(on)) | ≤ 0.23 Ом | @ VGS = 10 В, ID = 9.5 А (Типичное 0.18 Ом) | | Пороговое напряжение (VGS(th)) | 2.0 – 4.0 В | (Типичное 3.0 В) | | Заряд затвора (Qg) | 54 нКл | Типовой, при VDD=100В, ID=19А | | Входная ёмкость (Ciss) | 1370 пФ | Тип. | | Мощность рассеяния (PD) | 135 Вт | @ Тс = 25°C | | Время нарастания (tr) | 145 нс | Тип. | | Время спада (tf) | 35 нс | Тип. | | Лавинная энергия (EAS) | 680 мДж | Max (защита от перенапряжения) | | Температура перехода | -55 … +175 °C | | | Корпус | TO-220 (3 вывода) | |

Парт-номера (Part Numbers)

Официальные парт-номера (основной корпус TO-220):

• FQP19N20C (стандартное формование выводов)
• FQP19N20CTM (упаковка: туба / tape & reel для автоматического монтажа, соответствует стандартному N19N2020C)

⚠ Примечание по ROHS: Хотя многие маркировки ставят суффикс CD (например, FQP19N20C_TM_CD), для FQP19N20C безсуффиксные версии являются свинецсодержащими (Pb). В закупочных каталогах он часто указывается упрощённо как FQP19N20C без уточнения.

Совместимые модели (Аналоги)

Транзистор FQP19N20C можно заменить на следующие аналоги только при условии соответствия по RDS(on), току и напряжению (≥200В).

Прямые функциональные замены (или с улучшенными параметрами, но от разных производителей):

1. IR (Infineon)

   • IRF520N (100В, 9.7A) – Не подходит по напряжению! Нужен на 200В.
   • IRF640N (200В, 18A) – Отличная многоцелевая замена (похожий RDSon ~0.15-0.18 Ом).
   • IRF640 (200В, 18A, RDSon=0.18 Ом).
   • IRF830 / IRF840 / IRF1342.

2. STMicroelectronics (ST)

   • STP18NF20 (200В, 18A, RDSon = 0.155 Ом) — прямой NTJD аналог.

3. Vishay / Siliconix

   • IRF640NPbF (200В, 18A).
   • RQF22N20 (он же алтерна соответствие).

4. On Semiconductor (ON) \ Fairchild (настоящий производитель)

   • Собственные версии Fairchild аналогичны бренду ON Semiconductor, где они выпускались уже после вертикальной интеграции:
     • NTB20N20 (TO-220).
     • NTD19N20 (D-Pak — если нужен SMD), . Лучшей парной аналогом по записке заменой считается: N Channel MOSFET, >200V; ≥19A; При: ≤0.23Ohms;

• STP18NF20FP или IRF640 или R4925 (частные ячейки мощных IGBT в бытовых блоках рекомендуется уточнять замену ).

Важно при выборе аналога

1. Напряжение: Убедитесь, что ( V_{DSS} ) аналога >=200В (или больше, например, 250 В, запас).
2. Ток: должен быть не меньше 75-80% от оригинала (вместо 19 А допускается 16-18 A при хорошем теплоотводе).
3. Сопротивление канала (RDS(on)): Чем меньше, тем лучше (менее 0.25 Ом).
4. Корпус: Форм-фактор носижения TO-220.
5. Паразитным теперввода/ — выоб провлерти физачтры нетепи (меншче трйрокендален)

Пример грамотной замены + стоит IRF640N (с ограничением тока 18А).