Fairchild SCM1110MF

Fairchild SCM1110MF — это высоковольтный, быстродействующий N-канальный MOSFET-транзистор, произведенный компанией Fairchild Semiconductor (ныне часть ON Semiconductor / onsemi). Он относится к серии SCM (Snowmass / Single Channel MOSFET) и предназначен для импульсных источников питания (SMPS), силовой электроники и цепей с высокочастотной коммутацией.

Ниже представлено подробное описание, технические характеристики, партномера и совместимость.

1. Общее описание

Транзистор SCM1110MF выполнен по планарной технологии (Planar) с VDMOS структурой (Вертикально-диффузионный МОП). Он отличается малым временем переключения, низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой устойчивостью к лавинному пробою (предназначен для применения в жёстких условиях).

Ключевые особенности:

• Быстрый диод (Body Diode): Обратный диод имеет малое время восстановления (trr), что критично для мостовых и полумостовых схем (AC-DC, DC-DC), уменьшая коммутационные потери.
• Низкий заряд затвора (Qg): Позволяет использовать простые схемы управления драйвером.
• Высокая устойчивость к эффекту dv/dt: Защищён от случайного открывания при резких изменениях напряжения сток-исток.
• Лавинная устойчивость: Энергия лавинного пробоя (Single Pulse Avalanche Energy) нормирована.

2. Технические характеристики (Даташит)

Ниже приведены предельно допустимые значения и основные параметры при Tj = 25°C (если не указано иное).

Предельные параметры (Maximum Ratings):

• VDSS (Напряжение сток-исток): 1000 В (1 кВ)
• ID (Постоянный ток стока при 25°C): 2.7 А
• ID (Постоянный ток стока при 100°C): 1.7 А
• IDM (Импульсный ток стока): 10 А
• VGS (Напряжение затвор-исток): ±30 В
• PD (Максимальная рассеиваемая мощность): 125 Вт (при Tc = 25°C)
• Tstg / Tj (Температура хранения/перехода): -55°C ... +150°C

Тепловые характеристики:

• RθJC (Тепловое сопротивление переход-корпус): ~1.0 °C/Вт

Электрические характеристики (Static):

• VGS(th) (Пороговое напряжение затвора): 2.0 ... 4.0 В (тин. 3.0 В)
• RDS(on) (Сопротивление откр. канала при VGS=10В): ≤ 6.5 Ом (тин. 5.5 Ом)
• IDSS (Ток утечки стока при VDS=1000В): ≤ 250 мкА (@ Tj=150°C), ≤ 25 мкА (при 25°C)
• IGSS (Ток утечки затвора): ±100 нА

Динамические характеристики (Switching):

• Ciss (Входная емкость): 500 пФ
• Coss (Выходная емкость): 92 пФ
• Crss (Проходная емкость): 7.5 пФ
• Qg (Общий заряд затвора при VGS=10В): 25 нКл
• td(on) (Время задержки включения): 29 нс
• tr (Время нарастания): 38 нс
• td(off) (Время задержки выключения): 87 нс
• tf (Время спада): 38 нс

Параметры обратного диода:

• trr (Обратное восстановление): 660 нс
• I_F (Импульсный ток диода): 4 А

Корпус:

• MO-186AA (Аналог TO-263) или D²PAK (в зависимости от специфики упаковки, указывается как MF).
• Типичная маркировка: SCM1110MF

3. Парт номера (Маркировка / Наименования)

Производитель использовал несколько вариантов партномеров для этой серии, отличающихся упаковкой (корпусом) и рекомендуемыми условиями:

• SCM1110MF – Основной парт-номер (обычно для поверхностного монтажа, D-PAK, Tape & Reel).
• SCM1110M – Возможный вариант парт-номера для корпуса TO-220 (обычно «M» означает ручной монтаж, но у Fairchild часто буквенная приставка указывала на модификацию).
• SCM1110F – Вариант для монтажа среднего размера (Full-pak) или с более низким сопротивлением.

Важно: Точное расшифровка букв («F», «M», «MF») фиксируется именно за корпусом в конкретном заказе. Оборудование часто использует внутреннюю маркировку завода, просто «1110» или с кодом партии.

4. Совместимые модели (Замены)

Этот транзистор — средней мощности, но его замена на напряжение 1000В сопряжена с поиском в основном в следующих категориях. *Внимание: Перед заменой обязательно проверьте параметры по даташиту (время восстановления диода Вашего образца!).

Полные аналоги (Клоны / 1:1):

• IRFPF20 (International Rectifier) — те же параметры: 1кВ, 2.7А, 6 Ом, корпус TO-247 (если ваш SCM1110 в ним, то IRFPF20 — прямой клон).
• STP4NK100Z (ST Microelectronics) — немного выше ток (4А), такие же 1кВ и 6 Ом, корпус TO-220.
• FQP3N100 (Fairchild/ON Semi) — аналог: 1кВ, 3А, ... похоже.

Более мощные варианты (Рекомендуемые апгрейты):

• STP6NK100Z – на 6А, менее греется.
• FQP4N80 – используйте, если важна занимаемая площадь (он на 800В, но шире принят на рынке).
• IRFPF30NF

ГОСТ / Типовые применения: Часто используется в:

• Импульсных промышленных БП мощностью 30-70 Вт;
• КИБ (Катодных индикаторах) драйверах;
• Корректорах коэффициента мощности (PFC) на 220-380V сети;
• Сервоприводах, зарядках для электроинструментов..

*Если Вам нужна замена для MTD или TVS со сломанным транзистором и мощность вашего устройства не превышает 1кВт, то смело ищите транзистор с напряжением Входы 1..2 кВ и плоским зарядом до 30 нКЛ.

Чтобы быть однозначным, резистор RDS = 6.5 Ом при токе 2.7А даёт падение напряжения при открытом во время коммутации около 18 В -- иногда это проблема при повторном запуске мощных блоков -- учтите греющиеся шунты.

Реклама конструкции:

Обратите внимание: теперь первоисточник сейчас принадлежит компании onsemi, и данные частиц «SCM1110» больше официально не производятся, но их полно в магнитных сборщиках как б/у мелким и умным сервисникам, которые лечат ИБП. Оригинальный техпроцесс менее меркантилен, чем новые разработки — он прекрасно держит лавину и почти не просаживается при плохом ёмкостном снаббере в отличие от "графика суперджаншмин" ).