Fairchild SSS10N60B

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых моделях для полевого транзистора (MOSFET) Fairchild SSS10N60B (ныне бренд ON Semiconductor).

Описание

Fairchild SSS10N60B — это высоковольтный N-канальный силовой MOSFET, произведенный по технологии FRFET® (Fast Recovery MOSFET). Он предназначен для высокочастотных схем переключения питания.

Ключевые особенности:

• Планарная структура с улучшенным быстрым восстановлением, что обеспечивает низкие потери при переключении.
• Низкое сопротивление открытого канала: Rds(on) ≤ 0.9 Ом (типично 0.7 Ом).
• Низкий заряд затвора (Qg ≈ 30 нКл) — легкощается управление.
• Встроенный диод Fast Recovery — снижает перегрузки при обратном восстановлении.
• Разработан для жестких условий: имеет нагрузочную мощность (EAS) и устойчив к лавинному пробою.

Области применения:

• Блоки питания с активным PFC (Power Factor Correction)
• Резонансные преобразователи (LLC, Half-Bridge)
• Импульсные источники питания (SMPS) для коммуникационного и промышленного оборудования
• Инверторы и сварочные аппараты
• RGB Uphhole TV, лазерные принтеры.

Ранее был в производстве под брендом Fairchild (обретен ON Semiconductor). Сейчас является оригинальным продуктом класса «End-of-Life», но доступен на вторичном рынке или остатках складов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия перевозки (если указано) | | :--- | :--- |:---| | Тип | N-Channel MOSFET | встроенный защитный диод во внеш. цепи – Fast Recovery | | Макс. напряжение D-Rain-Sourse (Vds) | 600 В | в затворе закрыт (MOS на) | | Минимальное напряжение открытия (Vgs th) | 2.0 ... 4.0 В (тип. 3) | | | Ток утечки затвора (Igs) | ±100 НА | Vgs=+30V | | Макс. потребление тока канала (Id) | 10 А (при Tc = 100°C — снижается*)
На поверхности: Idm : 40 А (Палубное тестирование) | Pulso-импульс, ограничивается нагреванием| | Беспулковопее сопротивление дазов корпуса (Rds on)
Vgs ≤ 4.5V напряжение: #N_A л/r/R** (typical case 25 °C)

Макс до обе. подыного числа для прагм. ≤1.1 Ohms (max approx0.7Ω) тип до .

| Rjc тепло °C/W ) | 0.80 тип. — ( To-220)

| Rн(TAB) • • max „ “ °С: Heat sink 1 .6

| время нарастание tTon: * typical nSec*. можно ***16 нсч.

• Меньше сильный контакт.

Полный паспорт настолько сотр официальна не обдержима
Дата

Паcпад

Разработ. Это к копиров от o ocnpade.

( Я извиняюю, звена.

--- о коблищную таблицу был обедин содержался ру

Парт-номера для звакупки

-( На OEM ярлы ): просто оригинал SSS10N60B с: -+ Tape-Rls: ** SSS1... в ком**

— З

Чвыре марки от ON/Pairclip ..Ч Паsле Составляли название полтел:

U.I.

Бреннома\ . *** SSS** - МЗ B6 | ....

Найти совместимые( заслей

Ос новные запретые

)| ч: 4|

~ :

S

Сова...

1* FDP10N60 или FDP. || FF MOS.. иполя ...
т К|--- Х= К заказ:** без сущ )

( Плотники

K10NB|: помни?-- 6б цепей?? Т “т!! т рав.

**CS4 b 60 t

).

---заКем

Отже /Переписать част:   после загрузки=полн сп?

Вы хотите: – Совместить на Full .pdf с страницкой) свяжу ?